氮化镓是一种新型半导体材料,它具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性,在早期广泛运用于新能源汽车、轨

“氮化镓是一种新型半导体材料,它具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性,在早期广泛运用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信,被誉为第三代半导体材料。”

氮化镓充电器和普通充电器区别表现在：材质不同、特点不同。

1、材质不同

传统的普通充电器，它的基础材料是硅。

氮化镓(GaN)被称为第三代半导体材料。

2、特点不同

相比硅，氮化镓的性能成倍提升，而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。氮化镓芯片频率远高于硅，有效降低内部变压器等原件体积，同时优秀的散热性能也使内部原件排布可以更加精密。

普通充电器快充头体积大，携带起来非常不方便，一些大功率充电器长时间充电还容易引起充电头发热。